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[导读] 联发科在去年将其高端芯片helio X30和中端芯片helio P30押宝台积电的10nm工艺,但是却因为后者的10nm工艺量产延迟和良率问题导致X30错失上市时机,P30传闻也将被放弃,受此影响联发科有意将部分订单交给GF,避免完
 联发科在去年将其高端芯片helio X30和中端芯片helio P30押宝台积电的10nm工艺,但是却因为后者的10nm工艺量产延迟和良率问题导致X30错失上市时机,P30传闻也将被放弃,受此影响联发科有意将部分订单交给GF,避免完全受制于台积电重蹈覆辙。 QQ截图20170609085055.jpg 多家芯片企业台积电的先进工艺量产影响 高通为台积电的长期大客户,不过2014年台积电从三星手里抢到了苹果的A8处理器订单,台积电采取了优先照顾苹果的策略,将其最先进的20nm工艺优先用于生产苹果的A8处理器,这导致采用该工艺的高通的骁龙810量产时间过晚优化时间不足,再加上当时该芯片所采用的ARM高性能公版核心A57功耗过高,骁龙810出现发热问题导致高通在高端市场遭遇重大挫折,高端芯片出货量同比下滑六成。 高通由此出走,将其高端芯片转交三星半导体代工,当然这也有它希望籍此获得三星手机采用它更多的芯片。2015年底高通采用三星的14nmFinFET工艺生产的骁龙820性能和功耗优良,大获市场欢迎,去年其中端芯片骁龙625也转用三星的14nmFinFET,近期其中高端芯片骁龙660同样转用三星的14nmFinFET,至此可以说高通已将芯片订单大量转单三星离开台积电。 华为海思受台积电的16nmFinFET工艺影响。在高通离开后,台积电转而与华为海思合作开发16nm工艺,2014年台积电量产16nm工艺不过由于能耗不佳只是用于生产华为海思的网通处理器芯片,没有手机芯片企业采用该工艺;双方继续合作于2015年三季度量产16nmFinFET,不过台积电同样选择优先照顾苹果的策略用该工艺生产A9处理器导致华为海思的麒麟950量产时间延迟。受此影响去年华为海思选择采用16nmFinFET工艺生产其新一代高端芯片麒麟960,而不是等待台积电的最先进工艺10nm工艺。 联发科在连续冲击高端市场而不可得的情况下,去年其计划在中端helio P35和高端芯片helio X30上全面采用台积电的最先进工艺10nm工艺,不过台积电的10nm工艺直到今年初才量产随后又遇上了良率问题,这导致高端芯片helio X30上市后被大多数中国手机企业放弃,据说三季度台积电用10nm工艺全力生产苹果的A11处理器而不会再有空余产能供给其他芯片企业,这也就导致联发科放弃helio P35,转而采用台积电产能充足的16nmFinFET的改良版12nmFinFET生产新款中端芯片helio P30。 联发科将选择同时由GF和台积电代工 受helio X30上市不受中国大陆手机品牌欢迎以及目前除X30外没有芯片可以支持中国最大运营商中国移动要求支持的LTE Cat7技术所影响,联发科今年一季度的芯片出货量大减,季度出货量跌穿1亿片,营收环比大跌17%,据IC Insights发布的最新数据显示今年一季度德国芯片企业英飞凌成功超越联发科挤入全球半导体企业第十名,受此打击后它开始考虑转变自己的策略,以摆脱当下在代工方面完全依赖台积电的局面。 台媒指联发科内部开始评估采用极受关注的格罗方德(简称GF)22nm FD-SOI制程,该工艺有低功耗优势,相较台积电和Intel全力开发的FinFET工艺又有成本优势,在低端手机芯片、物联网等领域有广阔的空间。 格罗方德在中国大陆建设的半导体制造工厂就引入了22nm FD-SOI制程,希望在这个市场抢夺正高度受关注的物联网市场,与台积电南京厂的16nmFinFET、中芯国际和联电厦门工厂的28nm实现差异化竞争。 联发科采用格罗方德的22nm FD-SOI,估计是用于生产其低端的手机芯片,凭借低功耗和低成本优势应对大陆芯片企业展讯的竞争,同时它也有意用该工艺生产物联网芯片。联发科的物联网芯片去年以来就在大陆火热的共享单车市场夺得大量订单,近期其有意并购无线通信芯片厂络达也是意在物联网市场。 对于联发科来说,引入一个新的半导体代工企业也有助于它平衡与台积电的关系,高通出走后台积电其实也是相当紧张的,去年就传闻它希望吸引高通回归采用它的10nm工艺,结果却是高通进一步将更多的芯片订单转往三星。联发科贵为全球第二大手机芯片企业,在失去高通更多的芯片订单后如果联发科也将部分订单转往格罗方德无疑将让台积电更为紧张,将迫使台积电思考当前它优先照顾苹果这种策略的影响。 从这个方面来说,联发科未来将部分订单转往格罗方德是必然的,而眼下正是一个适当的时机。联发科的做法也值得中国大陆芯片企业思考,它们显然已采取行动,华为海思已与中芯国际合作开发14nmFinFET工艺,展讯则选择与Intel合作采用其相当于台积电的10nm工艺的14nmFinFET工艺生产芯片。
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